每日消费报4月14日消息，近日，英特尔前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入一项创新性极紫外（EUV）光刻技术研发项目，该项目聚焦于自由电子激光（FEL）EUV光源的开发，旨在将先进芯片制造的光刻成本大幅降低三分之二。

当前，EUV光刻技术是生产7纳米及以下制程芯片的核心设备，但传统激光等离子体（LPP）EUV光源造价高昂，且存在效率与功耗问题。FEL EUV技术通过加速电子产生高能激光，理论上可提供更高功率、更稳定的EUV光束，从而提升晶圆生产效率和良率。基辛格团队称，新方案有望显著降低设备复杂性与维护成本，推动半导体行业向更经济、可持续的方向发展。

行业分析指出，若FEL EUV技术成功商业化，或将对ASML的市场主导地位构成挑战，并为全球芯片制造供应链带来变革。目前，该项目仍处于研发阶段，具体落地时间尚未公布。

基辛格在声明中表示：“降低先进制程成本是半导体行业的关键挑战，FEL EUV或将成为突破瓶颈的重要路径。”他的参与为该技术吸引了广泛关注与资源支持。