每日消费报4月3日消息，随着半导体行业向2nm工艺节点迈进，Intel、台积电（TSMC）和三星（Samsung）的竞争日趋白热化。三大巨头在技术研发、量产时间及客户争夺上展开激烈角逐，以下为最新进展一览：

1. Intel：押注18A工艺，2024年冲刺

Intel将2nm等效的“18A”工艺（1.8nm级）视为重返制程领先地位的关键，计划于2024年下半年量产，并已获得潜在客户测试芯片订单。其采用RibbonFET晶体管和PowerVia供电技术，目标在2025年前实现制程反超。

2. 台积电：稳扎稳打，2025年量产

台积电的2nm工艺（N2）将首次引入GAA（环绕栅极）晶体管技术，预计2025年量产，苹果或为首发客户。其N2P优化版本计划2026年推出，进一步降低功耗。目前台积电仍以3nm优势主导市场，2nm试产进度领先三星。

3. 三星：激进布局，2025年抢跑

三星宣布2nm（SF2）量产时间提前至2025年，并已锁定高通、英伟达等大客户。其GAA技术迭代至MBCFET结构，但3nm良率问题引发市场对其2nm可靠性的关注。三星意图通过更早量产争夺市场份额。

行业影响：2nm被视为摩尔定律延续的关键节点，三巨头的竞争将重塑芯片代工格局。Intel若如期量产，可能打破台积电垄断；而台积电和三星的客户争夺战或将加速技术迭代与成本下降。