每日消费报3月21日消息，全球存储芯片巨头加速推进HBM4研发，单颗容量有望突破64GB

随着人工智能、高性能计算等领域的快速发展，对高带宽内存（HBM）的需求持续攀升。近日，三星、SK海力士等存储芯片巨头纷纷宣布加速推进下一代HBM4内存的研发，目标直指单颗容量64GB，预计将在2025年实现量产。

相较于目前主流的HBM3，HBM4在带宽、容量和能效方面都将实现显著提升。据悉，HBM4将采用更先进的工艺制程和堆叠技术，单颗容量有望从目前的24GB提升至64GB，带宽也将突破1.5TB/s，为下一代数据中心、AI训练和推理等应用提供更强大的性能支持。

中国存储芯片企业加速追赶，已实现HBM2量产

在全球存储芯片巨头竞逐HBM4的同时，中国存储芯片企业也在加速追赶。据悉，长鑫存储、长江存储等国内领先企业已成功实现HBM2内存的量产，并正在积极研发HBM3技术。

尽管与国际先进水平仍存在一定差距，但中国存储芯片企业在HBM领域的突破意义重大。HBM作为高端存储芯片的代表，其研发难度极高，需要攻克芯片设计、制造、封装测试等一系列技术难关。中国企业的成功量产，标志着中国在高端存储芯片领域取得了重要进展，为打破国外技术垄断、实现自主可控迈出了关键一步。

HBM市场竞争加剧，未来格局充满变数

随着HBM技术的不断迭代升级，全球HBM市场竞争也日趋激烈。除了三星、SK海力士等传统巨头外，美光、英特尔等企业也纷纷加大在HBM领域的投入。与此同时，中国企业的崛起也为市场格局增添了新的变数。

未来，HBM市场将呈现怎样的格局，让我们拭目以待。但可以肯定的是，随着技术的不断进步和市场竞争的加剧，HBM将为全球数字经济的高质量发展提供更强大的动力。